英特爾推進面向未來節(jié)點的技術創(chuàng)新，在2025年后鞏固制程領先性
英特爾正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的英特目標，目前，爾推Intel 7，進面節(jié)點揚州美女兼職外圍上門外圍女（電話微信181-2989-2716）一二線城市預約、空姐、模特、留學生、熟女、白領、老師、優(yōu)質資源采用EUV（極紫外光刻）技術的向未新年先性Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產。正在順利推進中的術創(chuàng)Intel 20A和Intel 18A兩個節(jié)點，將繼續(xù)采用EUV技術，后鞏并應用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術，固制助力英特爾于2025年重奪制程領先性。程領
在“四年五個制程節(jié)點”計劃之后，英特爾將繼續(xù)采用創(chuàng)新技術推進未來制程節(jié)點的爾推開發(fā)和制造，以鞏固制程領先性。進面節(jié)點High NA EUV技術是向未新年先性EUV技術的進一步發(fā)展，數(shù)值孔徑（NA）是術創(chuàng)衡量收集和集中光線能力的指標。通過升級將掩膜上的后鞏電路圖形反射到硅晶圓上的光學系統(tǒng)，High NA EUV光刻技術能夠大幅提高分辨率，固制從而有助于晶體管的進一步微縮。
作為Intel 18A之后的下一個先進制程節(jié)點，Intel 14A將采用High NA EUV光刻技術。此外，英特爾還公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的數(shù)個演化版本，以幫助客戶開發(fā)和交付符合其特定需求的產品。
為了制造出特征尺寸更小的晶體管，在集成High NA EUV光刻技術的同時，英特爾也在同步開發(fā)新的晶體管結構，并改進工藝步驟，如通過PowerVia背面供電技術減少步驟、簡化流程。
將研究成果轉化為可量產、可應用的先進產品，是英特爾50多年來的卓越所在。英特爾將繼續(xù)致力于通過創(chuàng)新技術推進摩爾定律，以推動AI和其它新興技術的發(fā)展。